νλ ADR μνΈμ νκ°λ₯μΈλ° ν리미μμ΄ 30%λ κ»΄μλ Έγ γ γ γ γ γ γ γ γ γ γ γ γ γ
λ¬΄μ¨ TSMCμΈμ€μλ Έγ γ γ γ γ Β
νλ ADR μνΈμ νκ°λ₯μΈλ° ν리미μμ΄ 30%λ κ»΄μλ Έγ γ γ γ γ γ γ γ γ γ γ γ γ γ
λ¬΄μ¨ TSMCμΈμ€μλ Έγ γ γ γ γ Β
λκΈ 0