[📋정보] DDR5 제조사별/다이별/클럭별 적정 tRFC 표

[익명(14.84)]

DRAM은 휘발성 메모리라 방전 되기전 전력 공급해서 데이터를 다시 써주지 않으면 소실 되므로 주기적으로 '새로고침' 해줘야 한다는게 기본적인 개념.

이때 램 타이밍중 tREFI (Refresh Interval)가 새로고침 주기를 결정하고, tRFC (Refresh Cycle)가 새로고침 작업에 소요 되는 사이클을 의미함.
새로고침 작업이 진행중일땐 읽기, 쓰기 모두 불가능하므로 새로고침을 가급적 빈번하지 않게(높은 tREFI), 빨리 완료(낮은 tRFC)시켜서 성능을 높인다는것.

즉, tREFI=10000 이고 tRFC=600 이라면 10000 사이클 마다 600 사이클을 새로고침 하는데 쓴다는 것임 (6%)

만약 tREFI=20000 이고 tRFC=500 이라면 20000 사이클 마다 500 사이클을 새로고침 하는데 쓰므로 (2.5%)

램타이밍을 저런식으로 조이면 산술적으로 저 차이 만큼 성능 향상이 있음. (단, 그만큼 램 온도는 상승)

DDR5 (16-64GB) 램은 8개의 뱅크그룹과 각 4개의 뱅크로 이루어져 있는데 DDR4 까지는 새로고침을 전부 한꺼번에 해줘야 했지만

DDR5 에선 전체 새로고침 (REFab = all bank) 이외에도 개별 뱅크만 새로고침 (REFsb = same bank) 하는 기술이 도입 됐다고 함.

그덕에 새로고침 작업에 소요되는 시간이 단축 되면서 6%~9%의 성능 향상이 이뤄졌다고 하는데 문제는

JEDEC 기술문서를 보면 새로고침 작업엔 일반 새로고침 모드와 DDR5에서 새로 도입된 FGR (FIne Granularity Refresh) 모드가 있는데

AMD AM5 에선 이 모드가 아예 꺼져 있다고 함 그래서 AMD 램 오버클럭에선 램타이밍중 tRFC2와 tRFCsb 가 아예 안쓰이는것이며

FGR 모드 이건 유저가 키고 끄는게 아니라 메인보드 제조사에서 켜줘야 하는데 막혀있는거고 나중에 바이오스로 어떻게 될지는 모름.

다른 이유도 있지만 이 때문에 AMD가 Intel 에 비해서 DDR5 를 아직 제대로 활용 못하고 메모리 성능이 낮게 나오는것 같고

그래서 유일하게 조절할수 있는 tRFC, tREFI 가 AMD 에선 더욱더 중요하기 때문에 tRFC를 정리한 표를 독일애들이 만들었음.

클릭하면 커짐.

표 보는 방법은 왼쪽에 램 제조사별, 다이별로 막대가 있고, 막대 세로 끝에 위치한 행의 오른쪽 표(굵은 폰트)에서 자기 램 클럭 열을 찾으면 됨.

표 밑에 독일어로 적혀 있는 설명은 구글 번역 해옴.

* 왼쪽 이니셜 첫번째 문자는 제조사(Hynix/Samsung/Micron), 두번째 숫자는 용량, 세번째 문자는 다이

* 예) H16A = 하이닉스 16GB A다이

H16M	전압에 따라 확장됨 (+0.10M 약 +10ns)
H16A	전압에 따라 확장됨 (+0.10M 약 + 5ns) | 115ns에서 하드 월?
H24M	전압에 따라 거의 또는 전혀 확장 되지 않음
S16B / S16D / S16P	전압에 따라 거의 또는 전혀 확장되지 않음
*S24B	초기 사용자 테스트에 따르면 고전압에서 불안정성
M16A / M16G	전압에 따라 거의 또는 전혀 확장되지 않음
M16D	160ns에서 부팅 가능하지만 전압에 따라 확장되지는 않음
M24B	전압에 따라 거의 또는 전혀 확장되지 않음

1.25V VDD/VDDQ에서 부팅 및 단락 안정성 테스트

1.35V VDD/VDDQ를 사용한 스케일링 테스트

이번에 램 타이밍 조이면서 강제로 공부당한 내용 정리하면서 공유함.

[익명(59.14)]

이런게 잇구나 걍 막연하게 램오버하면 로우1퍼는 인텔승이라고만 알고있었는데,

[라이젠마스터(666tuna)]

와 130ns 160ns 이게 딱 걸리네

[Naro(lldyw1ur66vx)]

ㄹㅇ 나도 tRFC 416 넣어서 130ns 만드는거 데겔와서 배운건데 다 이유가 있었던거구나

[Naro(lldyw1ur66vx)]

왜 자꾸만 유용한 정보를 올려주는거야! 개추

[익명(182.226)]

윾동에 이런 능력자가

[하레퀴나드(qwerty1122344)]