많은 사람들이 ZEN3/4에 쓰였던 1세대 3DV는 코어 위쪽에, ZEN5에 쓰인 3DV는 코어 아래쪽에 있어서 온도차이가 난다고 말하는데 이건 절반도 아니고 절반의 절반만 맞음.




AMD가 소개한 이미지도 그렇고 실제로도 그렇고, SRAM끼리 붙여주는 TSV(실리콘 관통 전극)은 L3 캐시 쪽에 위치해 있고


추가로 붙이는 3D 캐시도 TSV를 통해 L3 위에 붙는 형태임. '코어' 위쪽에 가는 게 아니다. 다만 더 두꺼워진 만큼 높이를 맞추기 위해


기존 코어 위쪽에 더미를 추가하여 수평을 맞췄고 이 때문에 '코어가 두꺼워졌다'는 말이 나온 거.




2세대 3DV는 기존의 CCD 아래로 간 게 맞다. 그래서 '코어 아래로' 갔다고 말하는 게 틀리지는 않음.



하지만 온도는 좀 다른 이유인데 기존까지는 똑같은 64MB SRAM이 L3 위에만 퍼져 있어서 밀도가 높았던 반면 2세대의 경우 아래로 가면서


다이 전체랑 연결됨에 따라 면적 자체가 매우 넓어졌다. 여기에 이 3DV 캐시를 만드는 공정 역시 N7에서 N6으로 소소하게 업그레이드되었다.




PPA를 보면 '같은 전력에서 + 2% 속도' or '같은 속도에서 10% 전력 감소'이고 EUV 적용을 통해 면적&밀도는 약 18% 증가했다.



SRAM 용량은 똑같이 64MB에, 공정도 업그레이드됐는데 면적은 몇배로 늘었다? 그러면 당연히 열밀도는 대폭 감소하니 칩온도가 낮아질 수밖에 없다.


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결론:


1. 1세대 3DV 캐시는 코어 위에 있는 게 아니다. 코어 위에 있어서 두꺼워진 게 아니라 높이를 맞추려고 코어 위쪽을 덮은 것.


2. 2세대 3DV 캐시는 코어 아래로 간 건 맞으나 아래로 가서 낮아졌다기보단 면적이 넓어져서 밀도가 낮아진 탓이 크다.


3. 3DV 캐시 자체도 공정이 업그레이드됨.


4. 두께 자체는 같으나 실제 로직이 위치한 부분과 IHS 표면까지의 거리는 감소하여 그만큼 열전도가 빠르게 됨.