삼성전자가 3나노미터 2세대 공정 개발을 시작했다.
삼성전자는 29일 1분기 실적 발표후 가진 컨퍼런스콜에서 "반도체 파운드리 분야에서 3나노미터(nm) 2세대 공정 개발에 착수했다"고 밝혔다.

이어 "차세대 2.5차원(2.5D) 집적화 기술 개발을 완료했으며 3나노 기반 3D 집적회로(IC) 패키징 기술 개발도 착수했다"고 덧붙였다.



삼성전자는 작년 11월 "2022년까지 3나노 양산에 돌입할 것"이라고 밝힌 바 있다. 삼성전자는 TSMC보다 먼저 3나노에 GAA (Gate-All-Around) 기술을 도입할것으로 예상된다. TSMC는 2나노부터 GAA 기술을 도입할 것으로 알려졌다.



3나노 공정은 5나노 공정에 비해 칩 면적을 35% 이상 줄이면서 30% 향상된 성능을 제공하고 소비전력은 50% 감소시킬 수 있다.