안녕? 뿌잉아
항상 메모리 관련 정보 잘 읽고 있다.
내가 올해 하반기에 삼성 메모리사업부 공정설계 직무에 지원했고 지금 면접 결과를 기다리고 있음.
전반적으로 잘 본거 같은데, 한가지 질문에 대답을 잘 못한거 같아서 아래는 면접관 질문하고 답변인데 한번 봐주면 땡큐.
질문: 낸드플래시 메모리가 3D구조를 갖게되면서 charge trap layer가 어떻게 변화했냐? (재료적인 부분을 물어본거 같음)
답변: 집적화가 증가하면서, 간섭현상을 최소화하기위해 floating gate가 아닌 charge trap layer를 사용하고 현재 silicon nitride를 사용중 인것으로 알고있다.
이렇게만 답변해서 조금 걸리더라고.. 솔직히 맞는답인지도 잘 모르겠어서
면접관이 원하는 답변이 맞을까?
저 사람 글에 니가 쓴 글 링크 달고 물어보셈 댓글에 달아야 확실히 볼 듯
아 못볼수도 있구만 고마워
정확히 말하면 ctf 방식은 블록 레이어가 옥사이드-니트라이드-옥사이드 ono 구조인데 다 맞말인 듯?
추가질문도 없고 걍 바로 넘어가긴 했는데 뭐 크게 감점 되거나 그러진 않았겠군.. 떙큐 근데 발표언제나냐? 면접본지 1달넘어감..
채용 프로세스는 잘 몰루 ㅋㅋ
버티컬로 단을 올린게 3D인데.. 집적화가 왜 증가하냐?
단을 올렸으니까 집적화가 증가하지 당연한거아님? 단순히 미세공정 뿐만 아니라 구조적인 개선(2D>3D)을 통해서도 증가시킨거 아님? 집적화가 증가하지 않으면 왜 3D구조를 씀?