전자가 다닐 수 있는길이 평면일때 줄이는것에 한계를 느껴서 옆면을 만듬
finfet공정
그다음 밑면에도 gaa공정
계속 진화하는중 대학에서 배운거라 요즘 최신공정은 모르겠다
인텔이 2나노 4나노 타겟으로 전원선만 따로 밑으로 빼서 노이즈 최소화 시도하고있고
각 기업마다 노력중 - dc App
익명(14.35)2023-06-25 20:12:00
답글
그니까
알아보니까
지금 공정도 너무 가까워서
여기서 더 줄이면 전기들 끼리 영향을 준다는디
생각많은투자자(dropthebit3)2023-06-25 20:13:00
답글
그럼 ASML은 어케되는걸까 흠
생각많은투자자(dropthebit3)2023-06-25 20:14:00
답글
걍 반도체쪽 투자하지말까 ㅋㅋㅋㅋ
어렵고 기술혁신도 잘 일어나니까..
생각많은투자자(dropthebit3)2023-06-25 20:14:00
답글
그래서 전원선에 전기가 흐르면 전자기유도현상으로 노이즈가 생기니깐 인텔은 전원선을 밑으로 뺌 tsmc 삼성은 아직인듯
문제는 인텔은 10나노 14나노 공정으로 tsmc최신공정 amd랑 다이다이 치고있는데 공정 줄이는게 더이상은 한계니깐 설계빨 존나받을거임 - dc App
익명(14.35)2023-06-25 20:16:00
답글
20년뒤를보면 지금처럼 줄서서 장비주세요 하지는 않을듯
양자컴퓨터나 뭐든 나오면 다른 장비업체가 생기겠지 - dc App
익명(14.35)2023-06-25 20:17:00
답글
아직은 asml이 갑이고 2나노 euv 이제 풀리잖아 다 못가져와서 무릎꿇는중 - dc App
익명(14.35)2023-06-25 20:18:00
답글
10년은 해먹을듯 - dc App
익명(14.35)2023-06-25 20:19:00
ㅇㅇ 마즘 구조적 한계로 개선이 필요함 3D 3D하는것도 그런의미에서의 접근임
집단린치(golee07)2023-06-25 20:24:00
글쎄. 이제 선간 간섭은 피할수 없으니까 DRAM처럼 적층하는 방식을 쓰지 않을까? 나도 잘 모름.
익명(120.142)2023-06-25 20:33:00
Asml이 반도체 미세공정 핵심인 노광기를 만드는데 있어서는 20년, 어쩌면 영원히 독점할수는 있는데 포토공정만으로 미세공정하기엔 물리적 한계가 있음
전자의 전기적특성을 살리면서 줄이는게 힘들지 - dc App
전자가 다닐 수 있는길이 평면일때 줄이는것에 한계를 느껴서 옆면을 만듬 finfet공정 그다음 밑면에도 gaa공정 계속 진화하는중 대학에서 배운거라 요즘 최신공정은 모르겠다 인텔이 2나노 4나노 타겟으로 전원선만 따로 밑으로 빼서 노이즈 최소화 시도하고있고 각 기업마다 노력중 - dc App
그니까 알아보니까 지금 공정도 너무 가까워서 여기서 더 줄이면 전기들 끼리 영향을 준다는디
그럼 ASML은 어케되는걸까 흠
걍 반도체쪽 투자하지말까 ㅋㅋㅋㅋ 어렵고 기술혁신도 잘 일어나니까..
그래서 전원선에 전기가 흐르면 전자기유도현상으로 노이즈가 생기니깐 인텔은 전원선을 밑으로 뺌 tsmc 삼성은 아직인듯 문제는 인텔은 10나노 14나노 공정으로 tsmc최신공정 amd랑 다이다이 치고있는데 공정 줄이는게 더이상은 한계니깐 설계빨 존나받을거임 - dc App
20년뒤를보면 지금처럼 줄서서 장비주세요 하지는 않을듯 양자컴퓨터나 뭐든 나오면 다른 장비업체가 생기겠지 - dc App
아직은 asml이 갑이고 2나노 euv 이제 풀리잖아 다 못가져와서 무릎꿇는중 - dc App
10년은 해먹을듯 - dc App
ㅇㅇ 마즘 구조적 한계로 개선이 필요함 3D 3D하는것도 그런의미에서의 접근임
글쎄. 이제 선간 간섭은 피할수 없으니까 DRAM처럼 적층하는 방식을 쓰지 않을까? 나도 잘 모름.
Asml이 반도체 미세공정 핵심인 노광기를 만드는데 있어서는 20년, 어쩌면 영원히 독점할수는 있는데 포토공정만으로 미세공정하기엔 물리적 한계가 있음