트랜지스터를 가변저항처럼 생각해서 취급하는게 원리적으로 틀렸고, Vbe의 역할을 확실히 하고싶어서 쓰기 시작한 칼럼임 

트랜지스터에서 확산원리를 설명하려는 과정에서 좀 더 알기 쉬운 예로 바꿔보려고 했고 

트랜지스터 내 전자 확산과 U자관 내 삼투압 모델을 비교하고 있었음 

둘이 수식적인 형태가 상당히 유사하고 
(트랜지스터의 수식은 개념설명에서 들은거에 기능이 적당히 맞도록 적당히 근사한 식을 세운거에 가까움, 
그래도 상수를 잘 조작하면 Ebers-Moll 방정식의 특정 조건을 잘 근사한 정도는 만들어질 수 있을것임) 

트랜지스터에서 Vbe의 역할에 대하여 Vbe를 늘리는 것이 반투막의 투과율을 늘리는 것과 비슷하다고 판단했음 

차이점은 
트랜지스터에서 전위장벽(npn에서는 전위 구덩이)역할을 반투막에선 역학적인 충돌이 대신한다. 이는 ‘구멍’과 ‘벽’의 역할이 두 모델에서 상반되어있음을 의미한다.

반투막에서는 투과한 용매 입자는 그대로 통과하지만 트랜지스터에서는 전위장벽을 넘은 전자도 양공과 만나 Ib가 될 수 있다 

그리고 입자들의 전기적 성질을 고려하지 않았다 
전자는 음전하, 물은 쌍극자 


애초에 엄밀한 유사성까지 바라진 않았고 
이정도면 통계적 모델이 다르다고 함이 합당하긴 할건데 그래도 수식의 유사성을 붙잡고 있었음 

수식에서 다른 부분은 삼투압에서는 미소 변화에 대해 나타나있다는 점인데 이게 어떻게 차이(변수에 직접 껴있는 전압과 변수에 직접 껴있지 않은 투과율의 연동)로 이어질지 생각중이였음 

사실 대부분이 뇌피셜로 이루어져서 어떻게 틀려도 이상할 건 없음 
다만 비유로서는 잘 들어맞다는 감이 와서 어떻게 개선할 수 있을까 고민중임 


수학을 잘 하고 싶어요