차이점 1 
전위 장벽에 의한 이동 방해는 반투막에서 역학적 충돌로 대체된다. 이는 ‘구멍’과 ‘벽’의 역할이 두 모델에서 상반되어있음을 의미한다. 
이거랑 

dl <-> Ic 
dW <-> Vbe 
대응에서 

삼투압은 동적 평형에 관한 얘기이지만 거시적으로는 '정적 상태'의 변화에 관한 서술이고 
트랜지스터, 또는 전류-전압은 원래 그 자체로 동적인 시스템에 관한 서술이라는 점이 그 차이로 이어지지 않을까 

전위 장벽을 넘는 에너지를 갖는 전자가 실제로 전위 베이스를 통과할 확률과 
물 분자가 반투막을 통과하는 과정의 확률에 대한 모델은 같거나 매우 유사할 것임 

열역학 유체역학에 대해 알게되면 감이 더 잘 잡힐 것 같음