앞으로 6년 뒤면 1나노 공정까지 갈텐데
이때까지 가면 양자터널링 현상이 일어나서 논리게이트를 만드는 것이 불가능해진다.
따라서 3D 형태로 반도체를 적층하는 기술이 발전하게 되고,
이는 캐쉬 메모리 영역이 커진다는 것을 의미한다.
따라서 미래에는 캐쉬 메모리가 램을 대체할 거라는 소리이다.
이는 결국 램이 데이터베이스 정도로 취급당하게 된다는 것을 의미한다.
앞으로 6년 뒤면 1나노 공정까지 갈텐데
이때까지 가면 양자터널링 현상이 일어나서 논리게이트를 만드는 것이 불가능해진다.
따라서 3D 형태로 반도체를 적층하는 기술이 발전하게 되고,
이는 캐쉬 메모리 영역이 커진다는 것을 의미한다.
따라서 미래에는 캐쉬 메모리가 램을 대체할 거라는 소리이다.
이는 결국 램이 데이터베이스 정도로 취급당하게 된다는 것을 의미한다.
1나노에서 양자터널링이 일어남?