http://news.naver.com/main/read.nhn?mode=LSD&mid=shm&sid1=105&oid=366&aid=0000350781


특히 ARM이 보유한 비휘발성 메모리(Non-volatile memory: NV램) 기술은 전원이 공급되지 않아도 저장된 정보를 계속 유지한다는 점에서 인텔의 3D 크로스포인트와 맞붙을만한 뉴메모리 기술로 점쳐진다. 설계 구조가 비교적 단순해 집적도를 높여 스토리지클래스메모리(SCM)처럼 고용량화도 가능하며 섭씨 200대 이상의 환경도 버틸 수 있을 만큼 내구성도 강하다.


ARM이 구상하는 NV램 제품은 마그네틱 램(M램), 코릴레이티드 일렉트론 램(Ce램) 등 뉴메모리 기술을 통해 구현된다. M램의 경우 삼성전자, SK하이닉스가 수년전부터 개발을 시도해온 기술로, S램이나 D램보다 용량을 10배 이상 늘릴 수 있고 압도적인 쓰기 속도를 갖추고 있다. 다시쓰기 횟수도 무제한이라는 특징도 갖고 있다. 자기저항메모리(ReRAM)의 일종인 CeRAM의 경우 칩의 설계 구조를 단순화해 생산성을 확보할 수 있다는 장점이 있다.