* MOS 구조에서 절연막쪽 포비든 리젼 터널링 관련 스터디
- 슈뢰딩거 1차방정식 + 퍼텐셜 베리어
- 인커밍과 리플렉티드 패킷 통계해석시 k peak가 찍히는 x 값이 상이함
- 이 차이를 패킷이 배리어 안에서 트래블링한 거리로 해석함
뒷부분은 퇴근하면서 리뷰 예정
- 슈뢰딩거 1차방정식 + 퍼텐셜 베리어
- 인커밍과 리플렉티드 패킷 통계해석시 k peak가 찍히는 x 값이 상이함
- 이 차이를 패킷이 배리어 안에서 트래블링한 거리로 해석함
뒷부분은 퇴근하면서 리뷰 예정
이 반도체책 이름 머임
Koelmans, H.; De Graaff, H.C. Drift phenomena in CdSe thin film FET’s. Solid State Electron. 1967, 10, 997–1000.