1. io 다이 공정이 전작과 같은 12nm 공정인데 성능은 향상되고 지원 기능이 많아짐.

1-1 IF 클럭이 램클럭과 연동되는 특성상 if 클럭이 최소 1.25배가 오름(번들램 주류가 2133에서 2666으로 변했고, 3200도 많이 구입함. 거기에 램오버가 전작에 비해 잘되어서 수율만 받쳐주면 3733 정돈 가볍게 찍음)

1-2. PCI 4 콘트롤러까지 내장 되어 있어서 비대화됨

2. 캐시가 두배 늘었음(3500도 amd 스타일 생각하면 캐시램을 커팅한 게 아니라 락만 걸었을 가능성이 높음)


3. CCD랑 io 사이에 거리가 꽤 있는데, 균일한 성능 유지엔 도움이 되지만 코어랑 언코어는 거리가 멀수록 통신이 증가하고 발열이 높아짐




 그래도 4세대는 좀 나아질 것이라 봄. io다이는 그 특성상 미세공정의 영향을 덜 받는다고 하지만 12nm인데 인피니티패브릭 클럭만 1.5배 올라간 라이젠 3세대보단 훨 나아질 것임. 물론 칩렛구조인 이상 공정만큼 효율적이진 않을것이고
참고로 원칩 구조인 르누아르는 idle 대기전력이 꽤 훌륭할 것임.