"원자 하나 정도의 두께, 즉 1나노미터(1nm=10억분의 1m) 두께에 실리콘으로 제작할 때보다 몇배나 앞선 성능을 보여주는 초박형 반도체 웨이퍼 기술이 개발됐다."



한계에 이를 것으로 보이는 무어의 법칙을 이어갈 기술로 기대를 모으고 있다. 제작자는 균일한 12인치 웨이퍼 결정 성장을 보장하는 장비를 만들었으며 장비당 연간 1만장의 2D 웨이퍼를 생산할 수 있다고 밝혔다. 이는 최첨단 미래 반도체 칩 양산에 근접했음을 시사한 것이다.

사우스차이나모닝포스트(SCMP)는 28일 중국 둥관 소재 송샨호재료실험실·松山湖材料实验室) 엔지니어링 팀이 반도체 기술연구 분야에서 이같은 엄청난 도약을 달성했다고 보도했다.

이들은 결정성장 장비에 “표면간(surface-to-surface) 공급 방식을 활용하는 새로운 접근법을 개발했다”고 말했다.



새로운 2D 재료는 하나 이상의 원자 층을 가진 결정성 고체로 구성된다. 웨이퍼는 자연스럽게 원자 수준의 두께를 가지기 때문에 고유한 물리적 특성을 가지며 고성능 전자 장치에 적용될 가능성이 있다.

류 교수는 “약 1나노미터(1nm·10억분의 1m) 두께의 (일반적인 2D 재료인) 이황화 몰리브덴(2MoS₂) 한 개 층으로 만들어진 트랜지스터는 동일한 두께의 실리콘으로 만들어진 트랜지스터 성능을 몇 배나 능가한다”고 덧붙였다.

그는 “일부 2D 재료는 1나노미터 이하의 집적회로(IC)를 만드는 데 필수적인 재료 시스템으로 여겨진다. 이 재료들은 또한 업계로부터 ‘IC의 트랜지스터 수는 약 2년마다 두 배씩 증가한다’는 무어의 법칙을 지속해 그 이상까지 지속되게 할 수 있는 것으로 인정받고 있다”고 말했다.