LK-99가 DFT (밀도 함수 이론) 틀에서 절연체임을 설립한 원래의 연구는 이론적으로 여러 그룹에 의해 확인되었다. 이로 인해 이러한 그룹들은 LK-99가 금속이 되기 위해서는 전자 수를 변경하는 어떤 형태의 도핑이 필수적이라는 결론을 내렸다.
현재의 연구는 이론의 더 높은 수준에서 이 결론을 확인하고, QSGW 프레임워크 내에서의 전자 및 구멍 도핑 문제에 착수한다. QSGW에서 밀도 함수 이론에서 발견되지 않은 두 가지 놀라운 결과가 나타난다. 첫째, 도핑과 함께 도전 밴드의 Pb 상태와 O 파생 월런스 밴드 상태 사이의 분열에서 뚜렷한 변화이다.
이 연구의 독특한 점은 두 가지 다른 기원의 밴드 갭이 공존한다는 것이다. 도핑에 민감한 반도체 특성의 밴드 갭 (Pb-O)과 그렇지 않은 Mott 특성의 밴드 갭 (Cu-O).
두 번째 놀라운 발견은 두 개의 스핀 상태의 공존이다. 이러한 공존은 새롭다.
QSGW 접근법에서는 준입자화 절차가 단일 슬레이터 결정자를 요구한다. 따라서 두 종류의 스핀의 정렬은 두 가지 명확한 해결책으로 나타난다.
한 입자 설명에서 명확한 기초 상태의 거의 퇴화는 진정한 기초 상태가 단일 결정자로 설명될 수 없음을 나타낸다. 따라서 Cu 지역 순간과 비지역 환경 사이의 스핀 플럭튜에이션의 상관 관계는 아마도 매우 강하게 될 것이다.
이것은 자체적으로 초전도의 강한 성향을 나타내지는 않지만, 강한 상관 관계로의 새로운 경로를 제안하며, 이는 초전도로 이어질 수 있다.
우리는 이러한 종류의 물질에서 실온 초전도가 실현되는지 여부와 관계없이, Pb10(PO4)6O가 밴드 절연체이고, Pb9Cu(PO4)6O가 Mott 절연체이며, 전자 및 구멍 도핑된 Pb9Cu(PO4)6O는 단일 슬레이터 결정자로 설명될 수 없다는 사실로 인해, 이러한 시스템의 클래스는 밴드에서 Mott 절연체로, 약하게 도핑된 Mott 물리학의 다결정자 특성으로의 전환을 탐험하기 위한 독특한 놀이터가 될 것이다.
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