<화학식 1> Ma(Cu1-xFex)1-a(Ch)b(D)c [0062] [0063] (M: 전이금속(Mn, Cr, V, 또는 Fe), 전형원소(Pb, Sn, Hg), 란탄계(Y, 또는 La), 또는 이들의 조합이고, Ch(chalcogen, 칼코젠 원소) : O, S, Se, Te, Po, 또는 이들의 조합이며, D : P, As, Sb, Bi 또는 이들의 조합 이며, a : 0.1~0.9 이고, x : 0~0.4 이며, b : 1~3 이고, c : 0~0.5 임) 여기서, 상술한 x : 0~0.4 이며, b : 1~3 이고, c : 0~0.5의 기재에서 수치 '0'의 의미는 극소량(예 : 10 - [0064] 10 ~)으로나마 존재할 수 있다는 의미뿐만 아니라, '없다'라는 의미도 포함하는 것으로 이해할 수 있다. [0065] 즉, Ma(Cu1-xFex)1-a(Ch)b(D)c에서 x=0, c=0인 경우, Ma(Cu)1-a(Ch)b로 되어 화학식 4로 나타낼 수 있는데, 본 출원 인의 실험은 화학식 4에서 시작하여 Dopant (D)의 비율을 조절해 가며, 즉 x=0, c≠0인 경우를 실험하여 초전도 체 특성을 발현시키고 있는 단계 Ma(Cu)1-a(Ch)b(D)c로 화학식 3을 나타낼 수 있음은 물론, 주요 역할을 할 것으 로 예측되는 전이 금속인 Cu에 변화를 주기위해 Fe의 함량을 조절하는 기반인 단계 Ma(Cu1-xFex)1-a(Ch)b, 즉, x≠ 0, c=0 상태에 대응하는 화학식 2에서부터 위에 상술한 방법과 같은 방식으로 Dopant (D)의 비율을 조절해 가며, 즉 x≠0, c≠0인 경우에서도 초전도체 특성을 변화 내지는 확장하고 있기 때문이다. [0066] <화학식 2> Ma(Cu1-xFex)1-a(Ch)b [0067] [0068] <화학식 3> Ma(Cu)1-a(Ch)b(D)c [0069] [0070] <화학식 4> [0071] Ma(Cu)1-a(Ch)b 공개특허 10-2021-0157461


 오케이?


그외에도 결정구조랑 제조과정, 접근방법등 세세하게 특허되어있다. 이걸 모두 빗겨나가면 특허뺐기는거고


본 발명의 실시예에 의하면, 상기 세라믹전구체는 결정질과 비정질을 포함하는 것일 수 있다. [0024] 본 발명의 다른 실시예에 의하면, 상기 결정질은 반자성이나 약 상자성(diamagnetic or weak paramagnetic)을 띠는 것일 수 있다. [0025] 본 발명의 다른 실시예에 의하면, 상기 결정질은 징크-블랜드(Zinc-Blende, ZB) 구조 또는 암염(Rock-salt, R S)구조에 징크-블랜드 구조가 겹쳐진 하프-호이슬러(Half-Heusler, HH) 또는 호이슬러(Heusler, HR) 구조인 것 공개특허 10-2021-0157461 - 5 - 일 수 있다. [0026] 본 발명의 다른 실시예에 의하면, 상기 징크-블랜드 또는 하프-호이슬러 또는 호이슬러 구조의 중심원소는 화학 식 1에서 M 또는 D인 것일 수 있다. [0027] 본 발명의 다른 실시예에 의하면, 상기 비정질은 강자성 특성(ferromagnetic)을 갖는 것일 수 있다. [0028] 본 발명의 다른 실시예에 의하면, 상기 비정질의 함량은 자력으로 분리 한 특성에 의해 20 ~ 100wt%인 것일 수 있다. [0029] 본 발명의 다른 실시예에 의하면, 상기 S2단계에서 비정질 물질의 함량을 20 내지 100 중량%인 것을 자력으로 분리하는 것일 수 있다. [0030] 본 발명의 다른 실시예에 의하면, 상기 분리는 전구체를 분쇄하여 분말도를 높여가며 복수회 수행하는 것일 수 있다. [0031] 본 발명의 다른 실시예에 의하면, 상기 S1단계의 가열 온도는 550 내지 1100℃인 것일 수 있다. [0032] 본 발명의 다른 실시예에 의하면, 상기 S1단계의 가열 시간은 10 내지 100시간인 것일 수 있다. [0033] 한편, 본 발명은 상술한 제조방법에 의하하여 제조되는 것을 특징으로 하는 저저항 세라믹화합물을 제공한다. [0034] 또 한편, 본 발명은 하기 화학식 1에 의한 조성을 갖는 초전도체를 포함하는 저저항 세라믹화합물을 제공한다.


본 발명의 실시예에 의하면, 상기 세라믹전구체는 결정질과 비정질을 포함하는 것일 수 있다. [0045] 본 발명의 다른 실시예에 의하면, 상기 결정질은 반자성이나 약 상자성(diamagnetic or weak paramagnetic)을 띠는 것일 수 있다. [0046] 본 발명의 다른 실시예에 의하면, 상기 결정질은 징크-블랜드 구조 또는 암염 구조에 징크-블랜드 구조가 겹쳐 진 하프-호이슬러(Half-Heusler, HH) 또는 호이슬러(Heusler, HR) 구조인 것일 수 있다. [0047] 본 발명의 다른 실시예에 의하면, 상기 징크-블랜드, 하프-호이슬러 또는 호이슬러 구조의 중심원소는 화학식 1 에서 M 또는 D인 것일 수 있다. [0048] 본 발명의 다른 실시예에 의하면, 상기 비정질은 강자성 특성(ferromagnetic)을 갖는 것일 수 있다. [0049] 본 발명의 다른 실시예에 의하면, 상기 비정질의 함량은 자력으로 분리 한 특성에 의해 20 ~ 100 wt%인 것일 수 있다. [0050] 본 발명의 다른 실시예에 의하면, 상기 비정질을 자력으로 분리한 것일 수 있다. [0051] 본 발명의 다른 실시예에 의하면, 상기 분리는 세락믹화합물의 분말도를 높여가며 복수회 수행한 것일 수 있다.



참고해라