화학기상증착(CVD, chemical vapor deposition)은 반도체 제조 공정중의 한 단계로 화학 물질을 플라즈마 및 열을 이용하여 박막을 형성, 메탈라인 isolation 혹은 그외 다른 목적의 isolation을 목적으로 하는 공정을 말한다.

가스의 화학반응을 이용하여 절연 물질이나 반도체, 금속 등을 침적하는 방법으로, 웨이퍼의 표면에 필요한 물질을 응착시킬 때 이용된다.


원자층증착(ALD, Atomic Layer Deposition)는 반도체 기억소자인 커패시터 등의 표면에 보호막을 증착시키는 기술이다. 화학적으로 박막을 입히는 기존 증착 기술과 달리 원자층을 한 층씩 늘려 박막을 성장시키는 새로운 기술이다.


스퍼터링(Sputtering)은 집적회로 생산라인 공정에서 많이 쓰이는 진공 증착법의 일종으로 비교적 낮은 진공도에서 플라즈마를 이온화된 아르곤 등의 가스를 가속하여 타겟에 충돌시키고, 원자를 분출시켜 웨이퍼나 유리 같은 기판상에 막을 만드는 방법을 뜻한다.


열증착(ALD, vacuum deposition)는 박막 제작법의 하나. 열증착이라고도 하며 보통 10-4Pa 이하의 진공 중에서 박막으로 하는 물질을 가열 증발시켜 그 증기를 기판상에 부착시켜 막을 제작한다.


전자빔 물리 기상 증착 ( EBPVD)은 고진공 하에서 하전된 텅스텐 필라멘트에 의해 발산되는 전자빔을 대상 양극 에 충격을 가하는 물리 기상 증착 의 한 형태입니다 


퍼포먼스빔 엑스포 ( 분자선 결정 성장 시스템, Molecular Beam Epitaxy) 다양한 성장 재료들을 분자 형태로 쏘아서 증착시킴으로써 원하는 물질을 기판 위에 쌓는 방법. 분자선 결정 성장 시스템(MBE)은 초고진공 속에서 다양한 결정의 구성 원소가 함유된 셀을 가열하여 나오는 증기를 분자선 형태로 방출시키고, 적당한 거리를 두고 설치된 기판 위에 반도체 단결정 박막을 형성하는 방법이다.

[네이버 지식백과] 분자선 결정 성장시스템 [Molecular Beam Epitaxy, 分子線結晶成長-] (IT용어사전, 한국정보통신기술협회)

펄스 레이저 증착 ( PLD )은 고출력 펄스 레이저 빔이 진공 챔버 내부에 집중되어 증착할 재료의 타겟에 충돌하는 물리 기상 증착 (PVD) 기술 입니다.


위와 같이 특허에서 언급된 모든 증착 방식은 "축출할 수 있는 한 제한 업이 참여할 수 있다" 라고 되어 있음.


비전선포식 자료를 참고해 보면

첫째 벌크 샘플(우리에게 익숙한 세라믹 덩어리)를 제작

둘째 벌크 샘플에서 고순도 샘플을 추출

셋째 고순도 샘플을 Cu foil에 열증착  ---> 저항 0 확보 (곧 초전도 물질)


샘플 제작 과정에서는 고순도 샘플을 열증착 방식으로 Cu foil에 증착하였으나,

상용화 제품에는 ALD 방식으로 증착하려고 결정되었다는 얘기로 해석 됨.

ALD 방식은 위에서 확인하였듯이 최신의 증착 방식이고 가장 얇게 증착하는 방식이라 고순도 물질 소모가 가장 적게 사용되어 다량의 초전도 물질을 생산할 수 있는 방식 같음.

ALD 방식으로 증착된 초전도 물질은 전선에서부터 반도체에 이르기까지 전 산업 분야에 쓰이리라 봄.


혹 틀린 부분이 있음 수정해 주길 원함.