https://patentimages.storage.googleapis.com/9b/9f/e2/e4b09a985f5519/KR101621470B1.pdf


[0007] MoS2의 경우에는 Mo(몰르브덴)와 S(황) 두 가지 원소로 이루어지기 때문에 원자층증착법을 이용하여 박막을 형 등록특허 10-1621470 - 5 - 성할 수 있을 것으로 기대되지만, 적합한 전구체의 부재로 인하여 원자층증착법을 이용한 MoS2 박막 성장은 보고 되지 않고 있다. 특히 Mo 전구체는 MoF6, MoCl6, Mo(CO)6 등이 보고되어 있음에 반하여, 황에 대하여는 적절한 전구체를 고안하지 못하고 있다. 산소 전구체로 H2O를 사용하는 것과 마찬가지로 황 전구체로 H2S를 사용할 수도 있으나 H2S 기체는 독성, 부식성, 폭발성을 가진 물질이기 때문에 양산 공정에 적용하기에 어려움이 있다. 


[0020] 이에 본 발명자는 원자층증착법에 의하면서도 두께를 조절하여 MoS2박막을 제공 할 수 있으며, 이 과정에서 사용 하는 황 전구체가 고체가 아님과 동시에 유독가스가 아닌 황 전구체를 발견하기 위하여 예의 연구 노력한 결과, 본 발명에 따른 MoS2 박막 및 이의 제조방법을 발견하여 본 발명을 완성하였다.


[0023] 상기 MoS2 박막을 형성하는데 있어 황 전구체는 H2S와 같은 유독 가스가 아닌 것이 바람직하며, 제조 과정에 보 다 적절하게 적용하기 위해 황과 같은 고체가 아닌 것이 바람직하다. 결국 유독 가스를 배출하지 않고 고체 형 태가 아닌 것이라면 특별한 제한 없이 사용될 수 있는 것이지만, 더욱 바람직하게는 상기 MoS2 박막을 형성하는 데 사용되는 황 전구체는 다이설파이드(disulfide) 화합물로서 상온에서 액체인 다이알킬디설파이드 (dialkyldisulfide) 또는 다이할로디설파이드(dihalodisulfide)인 것이 가장 바람직하다. 이렇게 황 전구체로서 상기 다이알킬디설파이드(dialkyldisulfide) 또는 다이할로디설파이드(dihalodisulfide)인 경우 제조 과정에서 유독 가스를 사용하지 않게 되어 안전하고 친환경적인 공정을 통하여 MoS2 박막의 제공이 가능해진다. 또한 증기 등록특허 10-1621470 - 7 - 압이 낮은 고체 황을 기화시켜 증착 공정을 수행하는 것에 비하여 상기 액체 전구체들은 상온에서 쉽게 기화되 기 때문에 제조 장비의 손상을 방지하여 우수한 효율의 제조공정을 달성할 수 있다.



황전구체



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