좌 REV E,F 우 REV C
펜이 인테이크 늘릴려고 곡면형으로 바뀌었는데 올린 게이 말이 사실이라면 최소 기존 화잉 수준인듯
문제가 안되는게 사지 보면 알겟지만 나사 박는 위치는 전부 똑같고 사이즈도 동일하기 떄문에 기존 화잉,델타 유저면 그냥 알리서 사다 박으면 될듯
무선 모듈 위치 변경만 있얼을뿐 전원부 리덕터 페이즈들 구성은 전부 같은 부품에 같은 구성이었음 모듈 위치 바뀌어 위치만바뀜 (성능 차이 없는게 정상)
쉴드 제이석스 같은 써드파티 후판 못달게 3군데 곡면 앰보 처리 + 안보이는곳까지 차폐 필름을 위아래로 붙임과 동시에 CPU 히트스프레더 위의 써멀 패드를 제거
기존과 같이 쿨링할려면 차폐 필름을 위아래 칼로 제거한후 써멀 요리조리 잘 오려서 시술 해야함
케이스 유격 두군데 잡앗다는데 이건 기존 해당부위 누르는 사람도 이상한거고 성능에 중요한게 아니라 몰루?
나머진 전부 같음 성능향상에 미치는 전원부 구성이 위치만 바뀌고 동일하므로 딱히 없다고 생각함
결론: 알리,아이픽스잇 신형펜 풀리면 사다 끼우면 된다
오 나사위치도 같으면 ㄱㅊ하네 - dc App
ㅇㅇ 본 케이스의 망가네즈 합금 쉘이 금형 새로파고 설비 새로 조정하려면 최소 라인당 8억이니까 펜만 바꾼듯 그리고 새로운 펜이 화잉 보다 낫나면 말이지 펜 자체는 얼마 안하니까 중고로 팔아재끼네 뭐네 싸울 필요 없이 좀 쓰다가 펜 풀리면 사다 끼우면 된다고 봄 난이도도 쉽고
크롭 대충해서 C 버전이 커보이는거지 실제로 같은 쉘 안에 들어가 있어 같은 사이즈임
좌 하단 나사 위치가 조금 안맞을거 같긴한데 3개만 박아도 충분하고 해당부위는 손상없이 더블사이드 폼테잎 그레이드 높은걸로 고정하면 잡음이나 고정도 되고 문제 없으리라 생각함 E,F 는 애당초 저위치 고정 안한다고 C 버전처럼 EMI 쉴드가 뜨는 구조가 아니라 독립적으로 고정되기 떄문에
깔끔한 정리네. 엄밀히는 개선(improvement)판이라고 정의하긴 그런듯. 램 위치 바뀐게 램 1개의 온도 영향이나 무선 모듈의 감도 영향정도가 기대해 볼만한듯..
그냥 버전 차이인데 램은 애당초 고온에서도 잘 작동하는 부품이고 무선모듈은 감도는 안바뀌는게 정상임 모듈이 신호를 받는게 아니고 모듈에 연결된 안테나 두쌍이 프레임 어딘가 (대부분 전면 액정 프레임 ) 이 잡는거기 때문에 아마 초장기적으로 사용하거나 A값이 큰 SSD 교채를 자주하니 추가적인 발열 문제로 조금더 보험 차원에서 분배 시킨거 같음 문제는 왜 이게 리비전 C 냐 이거임 거꾸로가는 네이밍은 듣도보도 못함
사전에 그려놨던 레이아웃 아닐까? ㄷㄷ