cpu 다이 크기 키우면 어렵게 스케일링 할 필요도 없고 채널길이 억지로 좁힐필요도 없지않음?
기존 2배정도만 키워도 ㅆㅅㅊㅊ일거 같은데
댓글 14
전자공학이라고 별거없는데 그 부분은 걍 덕후들이 더 잘알어
익명(211.44)2023-05-25 20:38
답글
내가 학사 출신이라.. 웬만한 반도체 설계는 알어유
익명(59.27)2023-05-25 20:39
답글
전자공학 학부출신이면 석박이 뭐하는지 더 잘알지않나. 그렇게 넓게 잡학다식하게 파지않음ㅋㅋ
익명(211.44)2023-05-25 20:41
Ap다이 크게 키우면 성능은 올라가겠지
대신 그만큼 전기는 더 처먹을건데
커져버린 AP랑 그에 비례하는 쿨링시스템사이즈
배터리 넣을 공간은 줄어들고
배터리 개조루 병신 탄생
애플이 병신이라서 휴대폰에 M1안넣는게 아니다
익명(223.39)2023-05-25 20:42
스케일링은 생산성이랑 저전력화를 위해 하는 건데 전자가 흘러가야 하는 경로 자체가 에너지를 열로 낭비시키는 장해물이니까 상온 초전도체를 개발하는게 아닌 이상은 특성 크기가 크면 클 수록 동손이 발생할 수밖에 없지
익명(210.104)2023-05-25 20:43
답글
다이가 커진 만큼 거기에 인가해야 하는 전력은 늘어나는데 아무리 방열판으로 떡칠을 한다 해도 패시브 쿨링에는 한계가 있고 에너지 밀도가 이미 포화상태에 이른 리튬이온 배터리 용량에는 더더욱 한계가 있다
익명(210.104)2023-05-25 20:44
답글
선단 공정에서 고오오오오오오오오급 웨이퍼를 뽑는건 공정 도입에 따른 비용에 최근 기하급수적으로 올라가고 있는 프로그램 코스트탓에 리소그래피 집적도 증가분으로 인한 생산량 향상을 아득히 넘은 생산원가 상승이 발목을 잡긴 하는데 성능 향상을 위해 TR을 더 집어넣으려면 솔직히 배터리랑 쿨링쪽에 물리적 제약이 더 심한 상황이기 때문에 다른 방법은 마땅히 없다
익명(210.104)2023-05-25 20:46
답글
이거 신경 안 써도 되는 가장 좋은 예가 TDP 오지게 빨아먹고 있는 그래픽카드일텐데 이게 니가 원하는 큰 다이를 이용해서 유닛 많이 박아넣은 결과물이다
익명(210.104)2023-05-25 20:47
답글
TR의 갯수와 전력 소비, 발열(TDP는 칩에서 소모되는 대부분의 전력이 줄 열과 거의 완전히 일치한다는 참 골때리는 모델에서 시작된 전력 계산법이다)은 정비례하고 반비례하는 요소가 스케일링 계수니까 꼬와도 집적도를 높여야지 별 수 있냐
익명(210.104)2023-05-25 20:52
답글
특성크기랜다 칩 면적 하여간
익명(210.104)2023-05-25 20:58
답글
TR을 더 박아넣고 대신 언더볼팅을 빡세게 해서 특성이 좋은 스윗스팟 이내에서만 작동하게끔 할 수는 있을텐데 이러면 칩 단가에 비해 벤치딸을 못 치게 되니까 마케터 입장에서 이런 방법을 취할 거 같진 않다 웨이퍼 단위로 떼 오는데 수율이 나쁘기도 해서 괜히 칩이 드럽게 커지면 손실볼게 이만저만이 아니다
전자공학이라고 별거없는데 그 부분은 걍 덕후들이 더 잘알어
내가 학사 출신이라.. 웬만한 반도체 설계는 알어유
전자공학 학부출신이면 석박이 뭐하는지 더 잘알지않나. 그렇게 넓게 잡학다식하게 파지않음ㅋㅋ
Ap다이 크게 키우면 성능은 올라가겠지 대신 그만큼 전기는 더 처먹을건데 커져버린 AP랑 그에 비례하는 쿨링시스템사이즈 배터리 넣을 공간은 줄어들고 배터리 개조루 병신 탄생 애플이 병신이라서 휴대폰에 M1안넣는게 아니다
스케일링은 생산성이랑 저전력화를 위해 하는 건데 전자가 흘러가야 하는 경로 자체가 에너지를 열로 낭비시키는 장해물이니까 상온 초전도체를 개발하는게 아닌 이상은 특성 크기가 크면 클 수록 동손이 발생할 수밖에 없지
다이가 커진 만큼 거기에 인가해야 하는 전력은 늘어나는데 아무리 방열판으로 떡칠을 한다 해도 패시브 쿨링에는 한계가 있고 에너지 밀도가 이미 포화상태에 이른 리튬이온 배터리 용량에는 더더욱 한계가 있다
선단 공정에서 고오오오오오오오오급 웨이퍼를 뽑는건 공정 도입에 따른 비용에 최근 기하급수적으로 올라가고 있는 프로그램 코스트탓에 리소그래피 집적도 증가분으로 인한 생산량 향상을 아득히 넘은 생산원가 상승이 발목을 잡긴 하는데 성능 향상을 위해 TR을 더 집어넣으려면 솔직히 배터리랑 쿨링쪽에 물리적 제약이 더 심한 상황이기 때문에 다른 방법은 마땅히 없다
이거 신경 안 써도 되는 가장 좋은 예가 TDP 오지게 빨아먹고 있는 그래픽카드일텐데 이게 니가 원하는 큰 다이를 이용해서 유닛 많이 박아넣은 결과물이다
TR의 갯수와 전력 소비, 발열(TDP는 칩에서 소모되는 대부분의 전력이 줄 열과 거의 완전히 일치한다는 참 골때리는 모델에서 시작된 전력 계산법이다)은 정비례하고 반비례하는 요소가 스케일링 계수니까 꼬와도 집적도를 높여야지 별 수 있냐
특성크기랜다 칩 면적 하여간
TR을 더 박아넣고 대신 언더볼팅을 빡세게 해서 특성이 좋은 스윗스팟 이내에서만 작동하게끔 할 수는 있을텐데 이러면 칩 단가에 비해 벤치딸을 못 치게 되니까 마케터 입장에서 이런 방법을 취할 거 같진 않다 웨이퍼 단위로 떼 오는데 수율이 나쁘기도 해서 괜히 칩이 드럽게 커지면 손실볼게 이만저만이 아니다
반도체가 조시냐
10나노가 조시냐
한국이 살아남을길은 나노에 목숨거는것뿐이여