원자크기도 다양하게 있음 , 원자라고 다 같은 크기 아님, 제일 작은 원자 크기는 0.1nm 이지만 , 1.4 나노 트렌지스터 만드려면 부속품 크기가 거의 0.7nm 수준으로 떨어짐.. 그래서 트렌지스터 크기가 0.X nm 대로 떨어지면 거기에 들어가는 부속품 크기는 0.0x nm 로 원자 보다 더 작은 수준으로 떨어져야 되기 때문에 개발이 힘들겠제
익명(175.200)2023-04-14 18:32
1.4나노도 마케팅 용어임 ㅋㅋ 실제로는 1.4나노 아님 지금 삼성이랑 TSMC가 찍어내는 3나노도 실제 크기는 3나노 아니고
익명(210.205)2023-04-14 18:51
2나노 양산도 엄청 대단하네 - dc App
분노의라스(wxy0514)2023-04-14 19:12
실은 3나노라고 해도 제조사마다 트랜지스터 밀도가 다 다르고 14나노 전후로 미세공정 개발이 다소 정체되니까 20나노 공정에 핀펫 적용한 다음에 14나노 16나노 이렇게 언플한 이후로는 그래도 밀도를 다소 반영하던 예전과는 달리 마케팅용으로 막 기존 공정 개량판이든 새 공정이든 design rule만 바뀌면 숫자를 내리고 있어서... 특히 한국 언론 중에는
익명(1.232)2023-04-14 19:51
답글
이런 디테일을 언급하는 데가 딱히 없어서 영어로 된 자료 잘 찾아봐야 됨. 일반 대중 상대로는 디테일을 잘 안 풀고 수백 달러씩 받아먹는 ISSCC VLSI IEDM 이런 학회나 관련 업계 사람들 부르는 포럼에서 디테일이 많이 나오는데 그래도 서양쪽에서는 그런 데서 나온 정보를 푸는 사람이 있어서 그쪽 보는 게 나음
더이상의 발전하려면 필연적으로 agi가 있어야 할듯 - dc App
괜히 양자컴 알아보는게아님, 양자터널링때문에 회로설계가 ㅈㄴ게 어려워짐
점점 집적도 높아질 수록 회로 특성상 양자터널링때문에 한계가 있음
전선 두께를 원자보단 작게 할 순 없지. 물리적 한계. - dc App
0.2나노가 원자일걸
원자크기도 다양하게 있음 , 원자라고 다 같은 크기 아님, 제일 작은 원자 크기는 0.1nm 이지만 , 1.4 나노 트렌지스터 만드려면 부속품 크기가 거의 0.7nm 수준으로 떨어짐.. 그래서 트렌지스터 크기가 0.X nm 대로 떨어지면 거기에 들어가는 부속품 크기는 0.0x nm 로 원자 보다 더 작은 수준으로 떨어져야 되기 때문에 개발이 힘들겠제
1.4나노도 마케팅 용어임 ㅋㅋ 실제로는 1.4나노 아님 지금 삼성이랑 TSMC가 찍어내는 3나노도 실제 크기는 3나노 아니고
2나노 양산도 엄청 대단하네 - dc App
실은 3나노라고 해도 제조사마다 트랜지스터 밀도가 다 다르고 14나노 전후로 미세공정 개발이 다소 정체되니까 20나노 공정에 핀펫 적용한 다음에 14나노 16나노 이렇게 언플한 이후로는 그래도 밀도를 다소 반영하던 예전과는 달리 마케팅용으로 막 기존 공정 개량판이든 새 공정이든 design rule만 바뀌면 숫자를 내리고 있어서... 특히 한국 언론 중에는
이런 디테일을 언급하는 데가 딱히 없어서 영어로 된 자료 잘 찾아봐야 됨. 일반 대중 상대로는 디테일을 잘 안 풀고 수백 달러씩 받아먹는 ISSCC VLSI IEDM 이런 학회나 관련 업계 사람들 부르는 포럼에서 디테일이 많이 나오는데 그래도 서양쪽에서는 그런 데서 나온 정보를 푸는 사람이 있어서 그쪽 보는 게 나음