최근 혁신적 연구성과

TSMC, 스탠포드, 캘리포니아 대학은 5nm 이상의 견고한 탄소나노튜브 FET를 향한 길을 닦는 새로운 재료를 개발했습니다 (오늘 가장 강조한 연구성과)

중국의 연구원들은 고밀도 탄소나노튜브 FET를 가능하게 하는 공정을 개발했습니다


탄소나노튜브 반도체의 역사

1998년 IBM이 최초로 탄소나노튜브FET을 실현하였고 이는 많은 이들을 흥분시켰습니다

2000년대초는 무어의 법칙의 종말이라는 어두운 전망이 있었습니다 (핀펫,GAA기술로 돌파한건 함정) 그래서 탄소나노튜브 반도체 기술이 절실해집니다

2006년 IBM은 탄소나노튜브를 활용하여 최초의 회로를 만들었습니다

그 후로 이 탄소나노튜브 반도체의 난이도가 너무나도 어렵다는걸 안 연구자들은 너 나 할 것 없이 도망가버립니다 (차라리 2차원 소재는 천사입니다)


탄소나노튜브 성능

탄소나노튜브를 이용하면 낮은 온도에서도 공정을 처리할수 있기 때문에 로직과 메모리를 매우 밀접하게 연결하는 3D구조를 실현시킬수 있습니다
  
ReRAM(뉴메모리)과 로직을 연결하면 현재의 7nm공정보다 50배 높은 성능향상이 가능합니다 (+훨씬 낮은 전력소모)