aesa 소자가 0.25 마이크로미터 공정이던데 나노 공정으로 하면 괴물 되는 거 아니냐삼파 4나노 공정으로 만들면 안 됨?? 그거 보라매에 달면 거의 2000km 거리에서 프삼오 탐지하고 격추할 수 있을 둣
생산물량이 한정되는 군수용을 첨단공정으로 가버리면 가격이 모친출타해버려서 힘들어
나노 낮아지면 신뢰성 떨어짐 차량용 반도체도 그래서 나노 높은거 씀
실리콘 기반에 EUV 노광기로 깎아서 핀펫 공정으로 핀 세워서 W/L비 늘리는데 집중하는 삼성 4nm 공정이랑 AESA용으로 고전력 흐르는 GaN 소자는 아예 분야 자체가 다름...
3나노나 4나노로 만들면 전력효율은 높아지겠지만 이렇게 극한의 나노단위로 가면 양자가 전선 사이를 통과하는 애미 뒤진 현상이 일어나서 신뢰성 꼴박한다. 이외에도 군사장비는 여러가지 외부요인에 영향을 받을 확률이 높아서 안됨.
신뢰성도 문제겠지만 그 전에 레이더 소자는 전력반도체 쪽이지않나 중요시하는 부분이 아예 다르지