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시지트로닉스, GaN RF HEMT 동작성능 검증…2024년 양산 추진시지트로닉스는 한국전자통신연구소의 기술이전을 통해 300W급 GaN(질화갈륨) RF HEMT(고전자이동도 트랜지스터)의 동작성능을 검증 완료했다고 30일 밝혔다.최근 공개된 S-대역 300와트(W)급 질화갈륨 전력소자는 S-대역인 2-4㎓(기가헤르츠) 주파수에서 동작해 군수 산업에선 레이다 장비에 적용되며, 5G 이동통신, 와이파이(WiFi), 블루투스에 활용된다. 또한 가전산업 수요처로 RF 오븐, 플라즈마 조명 및 반도체 장치용 고주파 발생기(RF generator)가 출현해 신시장에 대한 활용도가 높아지고 있다.시지트로닉스는www.thelec.kr


정확히는 고출력을 위해서는 GaN on SiC RF HEMT 반도체가 필요한데, ETRI랑 몇몇 업체들이랑 같이 국산화를 진행해서 군용으로 쓸만한 수준까지 온게 참 다행인듯. 


물론 상용으로 하려면 갈길이 먼게, 기술력은 괜찮다지만 고객이 원하는 수준만큼 양산하려면 이게 수율이 영 안나온다고함. Si와는 달리 GaN 물성이 좀 그렇고, 웨이퍼도 좀 일정치 않다라나?


전자 전시회에서 듣고 오면서 생각난거 적어봄.