글쎄다. 도체의 정의가 저항이 거의 0에 가까워서 전하가 움직이는데 방해가 거의 없다는 뜻이니까, 어떤 형태의 전기장이 가해지든 간에, 그 전기장에 의해 도체 내부의 전하가 그 전기장이 인도하는 대로 스무스하게 움직일 거고, 결국 그렇게 해서 형성된 내부 전하분포에 의해 내부 전기장이 0이될 때까지 자유전자답게 쭉쭉 움직이겠지. 그 끝은 내부 전기장이 0이 될 때까지 계속 그렇게 움직이는 걸 거고.
소야(rudwnsbilly)2023-09-19 05:27:00
답글
잘은 기억 안 나는데, 내가 연구할 때 GaAs반도체의 relaxation time이 펨토세컨(10^-15초)보다도 더 짧았던 걸로 기억하는데, 도체라면 그것보다도 더 일이 빠르게 진행되겠지.
소야(rudwnsbilly)2023-09-19 05:30:00
도체 내부에선 전하가 자유롭게 움직일 수 있음.
그래서 같은 극끼리 척력에 의해 밀려나서 물체 말단에 모임.
물갤러 1(106.101)2023-09-19 14:02:00
답글
이말인 즉슨, 전기장에 변동을 주거나 전자빔을 발사한다면 내부에도 잠시동안 존재함. 외력 없이 가만히 두면 빠른 시간 안에 전자끼리 밀려나서 표면으로 분산됨.
글쎄다. 도체의 정의가 저항이 거의 0에 가까워서 전하가 움직이는데 방해가 거의 없다는 뜻이니까, 어떤 형태의 전기장이 가해지든 간에, 그 전기장에 의해 도체 내부의 전하가 그 전기장이 인도하는 대로 스무스하게 움직일 거고, 결국 그렇게 해서 형성된 내부 전하분포에 의해 내부 전기장이 0이될 때까지 자유전자답게 쭉쭉 움직이겠지. 그 끝은 내부 전기장이 0이 될 때까지 계속 그렇게 움직이는 걸 거고.
잘은 기억 안 나는데, 내가 연구할 때 GaAs반도체의 relaxation time이 펨토세컨(10^-15초)보다도 더 짧았던 걸로 기억하는데, 도체라면 그것보다도 더 일이 빠르게 진행되겠지.
도체 내부에선 전하가 자유롭게 움직일 수 있음. 그래서 같은 극끼리 척력에 의해 밀려나서 물체 말단에 모임.
이말인 즉슨, 전기장에 변동을 주거나 전자빔을 발사한다면 내부에도 잠시동안 존재함. 외력 없이 가만히 두면 빠른 시간 안에 전자끼리 밀려나서 표면으로 분산됨.